Cambridge GaN Devices

Cambridge GaN Devices (CGD) 是一家无晶圆厂半导体公司，由剑桥大学的 Florin Udrea 教授和 Giorgia Longobardi 博士于 2016 年成立，旨在开发功率器件领域的革命性技术。我们的使命是通过提供极其高效且易于使用的晶体管来塑造电力电子的未来。 CGD 设计、开发并商业化 GaN 晶体管和 IC，从而在能源效率和紧凑性方面实现根本性的改变，并且适合大批量生产。

分立半导体产品

相关零件

CGD65A055S2-T07

650V GAN HEMT, 55MOHM, DFN8X8. W

CGD65A130S2-T13

650V GAN HEMT, 130MOHM, DFN8X8.

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650V GAN HEMT, 130MOHM, DFN5X6.

CGD65B200S2-T13

650V GAN HEMT, 200MOHM, DFN5X6.